BC849C,215 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  BC849C,215
• Производитель
  Philips Semiconductors
• Описание
  Philips Semiconductors BC849C,215 Product Category: Transistors Bipolar - BJT RoHS: yes Configuration: Single Transistor Polarity: NPN Collector- Base Voltage VCBO: 30 V Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 30 V Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V Maximum DC Collector Current: 0.1 A Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz DC Collector/Base Gain hfe Min: 420 at 2 mA at 5 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23 DC Current Gain hFE Max: 420 at 2 mA at 5 V Maximum Power Dissipation: 250 mW Minimum Operating Temperature: - 65 C Factory Pack Quantity: 3000 Part # Aliases: BC849C T/R
• Количество страниц
  8 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  65,69 KB

BC849C,215 datasheet скачать

BC849C,215 datasheet